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硅衬底GaN基二极管成国家技术发明奖热门 概念股爆发

编辑:东莞光尚电子   浏览:1350  时间:2016-01-05

  国务院总理李克强12月中旬主持召开国务院常务会议,批准2015年度国家科学技术奖励评审结果,2016年国家科学技术奖励大会将于1月在京召开。
  具有节能环保意主的LED钽电容照明产业,是国内外重点发展的战略性新兴产业。国际上现有三条LED钽电容照明技术路线,分别是蓝宝石衬底、碳化硅衬底和硅衬底GaN基LED照明技术路线。其中,前两条技术路线分别是以日本和美国为主发展起来的,主要贡献者分别获得日美两国最高科技奖,蓝宝石衬底技术路线的三个主要发明人还获得了2014年度的诺贝尔物理学奖,第三条硅衬底LED钽电容技术路线是由我国发展起来的,即为本项目发明成果。
  6月份科技部发布的2015年度国家科学技术奖初评结果显示,由南昌大学负责的硅衬底高光效GaN基蓝色发光二极管项目,获得国家技术发明奖初评一等奖。专家认为,用硅衬底GaN基蓝光LED制造技术,相比蓝宝石和碳化硅衬底,价格更为便宜,也有利于提升LED芯片的产出效率,为行业发展起到助推作用。
  作为国家重点扶持,培育发展的战略性新兴产业——LED钽电容照明是新一代照明革命性技术的应用,具有节能、环保、高效等特点,尤其在传统能源、环境污染等因素制约的今天,LED钽电容照明产业无疑成为国家及社会所关注重点项目中的焦点。

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